台积电CEO访问ASML总部 预示可能改变其在高数值孔径EUV光刻技术方面的做法

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台积电一直坚持认为,没有 ASML 最新的高数值孔径EUV光刻机也可以过得很好。但现在,这家合约芯片制造商似乎对这一明确的立场有了新的想法,其首席执行官秘密访问 ASML 总部就表明了这一点。

台积电的宿敌英特尔公司(Intel)希望在新兴的高数值孔径超紫外光刻(High-NA EUV lithography)领域取得不可逾越的领先地位。事实上,首批几台这样的机器全部出货给了英特尔的芯片制造部门。英特尔打算在其即将推出的18A(1.8 纳米)工艺节点参数范围内试验高纳极致紫外线(EUV)光刻技术,然后再将其正式纳入 14A(1.4 纳米)制造工艺。

相比之下,台积电公开表示,其现有的低噪点 EUV 光刻机阵容可以支持生产到 2026 年。对于即将到来的 A16 工艺节点,该公司显然满足于现有的工艺改进,包括提高生产效率的多重掩模和先进的基于纳米片的晶体管设计。这家台湾芯片制造商似乎还在依靠背面供电来提升其产品在人工智能工作负载方面的性能。

这就是问题的关键所在。5 月 26 日,台积电首席执行官魏哲家没有出席 2024 年技术研讨会,而是秘密访问了 ASML 位于荷兰的总部。根据Business Korea 的报道,从 ASML 首席执行官 Christopher Fuke 和通快集团首席执行官 Nicola Leibinger-Kammüller 的社交媒体帖子中可以了解到魏访问的一些细节。

根据台积电的既定计划,这家合约芯片制造商希望在推出基于 1.6 纳米的产品后,才采用高数值孔径 EUV 光刻技术。然而,魏哲家对 ASML 总部的秘密访问却让人颇感意外,尤其是这表明台积电目前的发展轨迹存在暗流,或许正在未来的运营策略上进行更广泛的检讨。

责编: 爱集微
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